「半導體專題講座」芯片測試（Test）

2.半導體測試（工藝方面）：WaferTest/PackageTest/ModuleTest

包裝測試(Package Test)也包括可靠性測試，但它被稱為終測試是因為它是在產品出廠前對電氣特性進行的終測試（Final Test)。包裝測試是重要的測試過程，包括所有測試項目。首先在DC/AC測試和功能（Function）測試中判定良品（Go）/次品（No-Go）后，在良品中按速度劃分組別的Speed Sorting（ex.DRAM)模組測試（Module Test）是指在PCB上安裝8-16個芯片后進行的，因此也稱為上板測試（Board Test）。Module Test在DC/Function測試后進行現(xiàn)場測試，以確保客戶能夠在實際產品使用環(huán)境中篩選芯片。如果在這個過程中發(fā)現(xiàn)了不良的芯片，就可以換成良品芯片重新組成模塊。DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random access memory）。重慶芯片導電膠

「半導體工程」半導體？這點應該知道：（8）Wafer測試&打包工程

芯片封裝過程

1)背面磨削（BackGrind）

FAB（晶圓代工廠/Foundry）制作的厚晶片背面，用鉆石輪研磨成所需厚度的薄晶片，使其成為薄半導體的過程。

2)晶片切割（WaferSaw）

把由多個芯片組成的晶片分離成單個芯片。

3)芯片貼裝（DieAttach）

芯片貼裝，也稱芯片粘貼，從晶片上取下分離的良品單個芯片，并將其粘合到封裝基板上。

4)打線結合（WireBond）

將芯片焊接區(qū)電子封裝外殼基板進行電氣連接。

5)塑封（Mold）

用熱硬化性樹脂EMC包裹基板，防止潮濕、熱量、物理沖擊等。

6)Marking

用激光刻印產制造商信息，國家，器件代碼等。

7)置球（SolderBallMount）

通過基板下表面安裝錫球(SolderBall)，實現(xiàn)PCB和Package的電氣連接，

8)SawSingulation

使用封裝切割用的鉆石輪將基板分離單獨的產品?；葜菪酒瑴y試導電膠#導電膠# #DDR導電膠# #測試導電膠# #LPDDR顆粒測試# #254BGA#。

「半導體專題講座」芯片測試（Test）

3.半導體測試（功能方面）：直流參數(shù)測試（DCTest）/AC參數(shù)測試（ACTest）/功能測試（FunctionTest）

3-2.FunctionTest/ACTest

AC參數(shù)測試主要是測試一些交流特性參數(shù),如傳輸時間設置時間和保持時間等交流參數(shù)測試實際上是通過改變一系列時間設定值的功能測試。將處在Pass/Fail臨界點的時間作為確定的測試結果時間交流參數(shù)測試所需的硬件環(huán)境與動態(tài)功能測試用到的硬件環(huán)境相同。通過這種方式像DRAM測試時，把良品芯片按照速度和延來區(qū)分裝入的桶（Bin），并進行分離的（Bin-Sorting）。BIN是指按SPPED對產品進行分類，并在TEST程序中對具有類似不良類型的FAIL（不良）產品進行分類，以便快速、方便地進行分析。

PCR Rubber Socket「PCR導電膠」

Rubber SockeＰＣＲ的主要特點：

>具有良好的壓力敏感性。

>靈活接觸，具有良好的接觸面跟隨性。

>不會對接觸面造成傷害。

>由于不是用點而是用面接觸，所以耐位置偏移。直流電流、交流電流都能發(fā)揮優(yōu)異的性能。

>電感低，高頻特性優(yōu)良。

PCR Rubber Socket

GF socket 插座

tera jc pin

return loss、Insertion loss

Coaxial rubber socket

在需要低電感、低電阻及低接觸特性的高頻檢查中發(fā)揮優(yōu)異的性能。

High-speed Socket Rubber Products

Non-Coaxial RubberDDR存儲器的優(yōu)點就是能夠同時在時鐘循環(huán)的上升和下降沿提取數(shù)據(jù)，從而把給定時鐘頻率的數(shù)據(jù)速率提高1倍。

關于半導體工藝這點你要知道(3)光刻技術(Photo Lithography)工藝

3. 光刻工藝流程光刻工藝過程包括Surface Preparation->Spin Coating->Soft Baking->Alignment&Exposure->Post-expose Baking->Develop->Rinse-dry->Hard Baking。

1) 曝光Exposure

曝光工藝里有Mask Layer之間對準精確位置的對準（Alignment）過程和即通過向感光膜發(fā)射光線來形成圖案的Exposure過程。經(jīng)過這個過程圖形就形成，根據(jù)需要曝光可以在三種模式下進行。

2) 顯影Develop

顯影（Develop）與膠片照相機沖洗照片的過程相同，此過程將確定圖案的外觀。經(jīng)過顯影過程后，曝光后會有選擇地（Positive,Negative PR）去除暴露在光下的部分，未暴露的部分，從而形成電路圖案。以上就是給大家介紹的在晶片上印半導體電路的光刻工藝。好像有很多混淆的地方。大家都了解了嗎？，8大工程完成3個工程；剩下的5道工序。革恩半導體導電膠測試座： 結構簡單材料損耗少 極高生產效率，可適應大規(guī)模生產。蘇州導電膠有哪些

基于MTK平臺開發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測試儀器，并可根據(jù)客戶需求進行因件及軟件調試。重慶芯片導電膠

關于半導體工藝，這點你要知道：（2）氧化（Oxidation）工藝

3、除此之外，影響氧化膜生長速度的半導體尺寸越來越小，而氧化膜作為保護膜的作用是必要的，因此氧化膜的厚度是決定半導體尺寸的重要因素。因此，為了減小氧化膜的厚度，需要協(xié)調氧化過程中的各種變量。我們在第2節(jié)中討論過的濕法氧化，干法氧化也是其中變量的一種種類，除此之外，晶片的晶體結構，Dummy Wafer（為了減少正面接觸氣體或稍后接觸氣體部分的氧化程度差異，可以利用Dummy Wafer作為晶片來調整氣體的均勻度）、摻雜濃度、表面缺陷、壓力、溫度和時間等因素都可能影響氧化膜的厚度。

和我一起來了解一下氧化膜的作用，氧化膜是如何形成的，以及這些氧化膜的形成速度受哪些東西的影響。半導體八大工序中的兩個工序已經(jīng)完成；下節(jié)我們將討論在半導體上制作電路圖案的蝕刻工藝。重慶芯片導電膠

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