濱州雙向可控硅模塊
可控硅模塊設備相信大家都已經熟悉并了解了,在您了解的知識中,您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎?下面正高電氣來講解一下。
可控硅模塊的工作條件:
1.當可控硅模塊承受反向陽極電壓時,不管門級承受哪種電壓,可控硅模塊都會處于斷開狀態(tài)。
2.當可控硅模塊經歷正向陽極電壓時,可控硅在門級受到正向電壓時接通。
3.當可控硅模塊導通時,只需要有一定的正極電壓,不管門極電壓怎樣,可控硅模塊都保持導通,如果可控硅導通后,門極將失去其功能。
4..當可控硅模塊導通時,主電路電壓(或電流)減小到接近零時,可控硅模塊關斷。淄博正高電氣有限公司愿與各界朋友攜手共進,共創(chuàng)未來!濱州雙向可控硅模塊
可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。濱州雙向可控硅模塊淄博正高電氣有限公司品牌價值不斷提升。
您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎?
可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓,只有當正向觸發(fā)電壓時,可控硅才能導通。由門級施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應使陽極電流達到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽極電流,即高于電流IL??煽毓鑼ê蟮碾妷航岛苄?。
接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值,即保持電流IH。有兩種方法:
1.將正極電壓降低至數值,或添加反向陽極電壓。
2.增加負載電路中的電阻。
以上是可控硅模塊的導通狀態(tài),希望能幫助您
接下來需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻,正反向測量阻值均應幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右,如出現正向阻值接近于零值或為無窮大,表明控制極與陰極之間的PN結已經損壞。反向阻值應很大,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。
如果想要判斷可控硅是否已經被擊穿損壞,工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋,然后將黑表筆接陽極,紅表筆仍接陰極,此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動,黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉,阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,陰極接紅表筆時,萬用表指針發(fā)生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。淄博正高電氣有限公司與廣大客戶攜手共創(chuàng)碧水藍天。
一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。
在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)。
可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此頻率,因元件開關損耗明顯增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用。
可控硅的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱點:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。
可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。淄博正高電氣有限公司得到市場的一致認可。濱州雙向可控硅模塊
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